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Donor defect in P-diffused bulk ZnO single crystal
Zhao YW (Zhao Youwen); Zhang R (Zhang Rui); Zhang F (Zhang Fan); Dong ZY (Dong Zhiyuan); Yang J (Yang Jun); Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China
2010-10-11
会议名称29th International Conference on Physics of Semiconductors
会议日期2009
会议地点Rio de Janeiro, BRAZIL
合作性质其它
摘要A high concentration of shallow donor defect is formed in P-diffused ZnO single crystals. X-ray photoelectron spectroscopy analysis indicates that P atom occupy different lattice site at different diffusion temperature. Nature of the donor defect has been discussed.
关键词Zinc Oxide Doping Defect
学科领域半导体材料
收录类别CPCI(ISTP)
语种英语
文献类型会议论文
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13554
专题半导体材料科学中心
通讯作者Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China
推荐引用方式
GB/T 7714
Zhao YW ,Zhang R ,Zhang F ,et al. Donor defect in P-diffused bulk ZnO single crystal[C],2010.
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