立方氮化硼薄膜的原位Si 掺杂研究
应杰
学位类型硕士
导师张兴旺
2010
学位授予单位中国科学院研究生院
学位授予地点北京
学位专业材料物理与化学
学科领域半导体材料
语种中文
公开日期2010-06-07
文献类型学位论文
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/11304
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
应杰. 立方氮化硼薄膜的原位Si 掺杂研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2010.
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